КнигоПровод.Ru | 04.05.2024 |
|
|
Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость |
Шварц К. К., Экманис Ю. А. |
год издания — 1989, кол-во страниц — 187, ISBN — 5-7966-0134-2, тираж — 1000, язык — русский, тип обложки — твёрд. 7БЦ, масса книги — 290 гр., издательство — Зинатне. Рига |
серия — Физика твёрдого состояния |
цена: 299.00 руб | | | | |
|
Сохранность книги — очень хорошая
Р е ц е н з е н т ы: акад. АН Эстонии, проф., д-р физ.-мат. наук Ч. Б. Лущик проф., д-р хим. наук Б. Т. Плаченов
Печатается по решению Редакционно-издательского совета АН ЛатвССР от 10.03.1988
Формат 60x90 1/16. Бумага типографская №1. Печать высокая |
ключевые слова — радиацион, диэлектр, поглощённ, дефектов, радиолиз, щелочно-галоид, кристалл, облучен, нейтрон, коллоид, лазерн, радиоактив, отход, ионизирующ, твёрд, дозиметр, радиохром, треков, детектор, физико-хим, имплантац, твердотельн, окраск |
В радиационных процессах, протекающих в диэлектрических материалах при больших поглощённых дозах излучения (102—103 МГр), решающую роль играют агрегация точечных дефектов и радиолиз. В щелочно-галоидных кристаллах при дозах 102—104 МГр основными радиационными дефектами являются агрегатные (Fn- и Vn-центры) и макродефекты — металлические коллоиды и агрегаты анионных продуктов радиолиза. В оксидных материалах при облучении быстрыми нейтронами (до 1022 нейтр/см2) также происходит агрегация точечных дефектов, приводящая к изменению плотности вещества. В этих соединениях образование металлических коллоидов менее выражено, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Радиационные дефекты в оксидных материалах образуются по ударному механизму, что определяет их более высокую радиационную стойкость по сравнению со щелочно-галоидными кристаллами, в которых реализуется электронный механизм генерации дефектов.
В монографии освещена также проблема радиационной стойкости диэлектрических материалов, использующихся в ядерной и термоядерной энергетике, а также в твердотельной электронике Коротко рассмотрены вопросы лучевой стойкости лазерных материалов. Анализируется экологический аспект захоронения радиоактивных отходов в пластах каменной соли.
Табл. 47, ил. 87, библиогр. 395 назв.
В настоящей работе предпринята попытка рассмотреть радиационные процессы, протекающие в диэлектрических материалах в области больших поглощённых доз ионизирующего излучения, при которых поглощённая на один атом энергия сравнима с энергией связи или существенно больше её.
Первичные процессы образования радиационных дефектов в твёрдых телах рассмотрены в двух монографиях тартуской школы: Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с рождением дефектов в твёрдых телах. — М.: Наука, 1989; М. А. Эланго. Элементарные упругие радиационные процессы. — М.: Наука, 1988. В связи с этим в настоящей монографии главное внимание уделяется вторичным радиационным процессам — агрегации точечных дефектов с образованием макродефектов и продуктов радиолиза, которые существенно зависят как от поглощённой дозы, так и от мощности дозы и температуры облучения.
На основе исследований щелочно-галоидных кристаллов предпринята попытка установить общие закономерности процессов образования радиационных макродефектов в области больших поглощённых доз. Разработанные при этом методология и модели применимы и к другим классам материалов. Радиационные эффекты при больших поглощённых дозах в оксидных материалах (MgO, Аl2О3, SiO2) рассмотрены на более описательном уровне, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Это объясняется тем, что первичные процессы в оксидных материалах менее исследованы, чем в щелочно-галоидных кристаллах, что затрудняет выявление элементарных механизмов вторичных радиационных процессов. Однако более высокая радиационная стойкость оксидных материалов в значительной степени объясняется отсутствием в них электронного механизма образования первичных радиационных дефектов.
Прикладные аспекты отражены при рассмотрении радиационной стойкости диэлектриков. Приведённые в монографии данные можно использовать для поиска радиационно стойких материалов. Взаимосвязь радиационной и лучевой стойкости анализируется при рассмотрении лазерного повреждения (лучевой стойкости) материалов и стабильности лазеров на центрах окраски. Экологические проблемы затронуты при анализе радиационных процессов в хранилищах радиоактивных отходов.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Авторы Курт Куртович Шварц, чл.-кор. АН ЛатвССР, проф., д-р физ.-мат. наук, заведующий лабораторией радиационных процессов в твёрдых телах Института физики АН ЛатвССР, и Юрий Арнольдович Экманис, д-р физ.-мат. наук, директор Физико-энергетического института АН ЛатвССР, более двадцати лет занимаются исследованием радиационных и фотостимулированных процессов в неорганических диэлектриках и полупроводниках.
|
ОГЛАВЛЕНИЕПредисловие | 5 | Основные обозначения | 7 | | ГЛАВА 1. Взаимодействие радиации с диэлектрическими материалами | 9 | | 1.1. Источники радиации | 9 | 1.2. Основные этапы развития радиационной физики твёрдого тела | 15 | 1.3. Взаимодействие радиации с твёрдыми диэлектриками | 18 | 1.4. Образование центров окраски в ионных кристаллах | 23 | 1.5. Радиационные дефекты при больших поглощённых дозах | 27 | 1.6. Радиационные процессы при воздействии ионов | 30 | 1.7. Методы исследования радиационных дефектов в области больших | поглощённых доз | 32 | | ГЛАВА 2. Определение поглощённой дозы | 37 | | 2.1. Поглощённая доза | 37 | 2.2. Калориметрия | 40 | 2.3. Химическая дозиметрия | 41 | 2.4. Люминесцентная дозиметрия | 44 | 2.5. Радиохромная дозиметрия | 49 | 2.6. Твердотельные трековые детекторы | 51 | | ГЛАВА 3. Радиационные процессы в щелочно-галоидных кристаллах | 53 | | 3.1. Физико-химические свойства щелочно-галоидных кристаллов | 53 | 3.2. Первичные процессы образования дефектов | 55 | 3.2.1. Дефекты при малых поглощённых дозах | 55 | 3.2.2. Кинетика накопления первичных дефектов | 59 | 3.2.3. Агрегатные радиационные дефекты | 65 | 3.3. Образование конечных продуктов радиолиза | 73 | 3.3.1. Коллоидные центры | 73 | 3.3.2. Образование зародышей электронных агрегатных центров | 81 | 3.3.3. Модели роста радиационных коллоидных частиц | 84 | | ГЛАВА 4. Радиационные процессы в широкощелевых оксидных материалах | 100 | | 4.1. Общая характеристика материалов | 100 | 4.2. Ударный механизм образования дефектов в оксидных материалах | 104 | 4.3. Модели центров окраски в оксидных кристаллах | 105 | 4.4. Радиационные эффекты в кристаллах MgO, Аl2О3 и MgAl2O4 при | больших поглощённых дозах | 108 | 4.5. Радиационные эффекты при ионной имплантации | 112 | 4.6. Радиационные эффекты в SiO2 | 115 | | ГЛАВА 5. Радиационная стойкость диэлектрических материалов | 123 | | 5.1. Материалы для термоядерных устройств | 126 | 5.2. Элементы твердотельной электроники | 128 | 5.3. Лазерное разрушение прозрачных диэлектриков | 130 | 5.4. Управление радиационной стойкостью | 132 | 5.5. Радиационное повреждение поверхности | 133 | 5.6. Роль рекомбинационных процессов при воздействии радиации | 138 | 5.7. Стабилизация продуктов радиолиза примесями | 140 | | ГЛАВА 6. Лазеры на центрах окраски | 142 | | 6.1. Общие принципы лазеров на центрах окраски | 142 | 6.2. Лазеры на центрах окраски щелочно-галоидных кристаллов | 144 | 6.3. Стабилизация центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах | 146 | 6.4. Лазеры на центрах окраски других кристаллических матриц | 150 | | ГЛАВА 7. Процессы в хранилищах радиоактивных отходов | 151 | | 7.1. Радиационные эффекты в каменной соли | 151 | 7.2. Накопление продуктов радиолиза в пластах каменной соли | 152 | | Итоги и перспективы | 157 | Приложения | 160 | Список литературы | 164 | Предметный указатель | 183 |
|
Книги на ту же тему- Электрическая проводимость жидких диэлектриков, Адамчевский И., 1972
- Модифицирование полупроводников пучками протонов, Козловский В. В., 2003
- Диэлектрики и радиация: Кн. 7: Влияние трансмутантов на свойства керамических диэлектриков, Костюков Н. С., Астапова Е. С., Еремин И. Е., Демчук В. А., Щербакова Е. В., 2007
- Водный режим атомных электростанций, Герасимов В. В., Касперович А. И., Мартынова О. И., 1976
|
|
|
© 1913—2013 КнигоПровод.Ru | http://knigoprovod.com |
|